高可靠性MOSFET晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种高可靠性MOSFET晶体管，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：重掺杂N型漏极层和N型掺杂外延层，一左栅极区、右栅极区分别位于凸起部的两侧，左栅极区位于重掺杂N型左源极区与中央区域之间的P型左基区区域上方，右栅极区位于重掺杂N型右源极区与中央区域之间的P型右基区区域上方，左栅极区的右侧、下部与P型上基区、P型左基区之间通过一第一绝缘层电隔离；相邻P型左基区和P型右基区之间具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的下端延伸至N型掺杂外延层的下部区域。本发明既使器件的导通电阻得到有效降低，也改善了漏电流，进而使崩溃效应不容易产生。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性MOSFET晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123227287.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216671637U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW01幢506室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202123227287.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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