MOS晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种MOS晶体管，包括：衬底；位于衬底内并且相邻设置P型阱区和N型阱区；位于P型阱区上的浮栅、位于P型阱区内的bulk端和第一保护二极管，浮栅与第一保护二极管的N极连通，第一保护二极管的P极与bulk端连通；位于N型阱区内的第二保护二极管，第二保护二极管与第一保护二极管并联，且第一保护二极管的N极与第二保护二极管的P极连通，第一保护二极管的P极与第二保护二极管的N极连通。等离子体产生的电流如果为正，电流通过第二保护二极管，保护了栅极不受等离子体电流的作用而被损坏。如果为负，电流通过第一保护二极管，同样保护了栅极不受等离子体电流的作用被损坏。
基本信息
专利标题 ：
MOS晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334954A
申请号 ：
CN202111626376.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑仲馗尹彬锋
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111626376.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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