一种增强散热的半导体结构
授权
摘要
本实用新型公开一种增强散热的半导体结构，包括引线框架和芯片，所述芯片设置于所述引线框架表面；所述芯片远离所述引线框架的一侧连接有铜夹，所述铜夹和所述芯片被封装于封装体内；其中，所述铜夹的表面设有凹槽和/或凸台；用于增大所述铜夹与所述封装体之间的结合面积。通过凹槽和/或凸台可以有效增大铜夹与封装体之间的结合面积，增加了热交换路径，加快铜夹将热量传递至封装体并由封装体散去的效率；此外，通过凹槽和/或凸台还可以增强封装体与铜夹的结合力，减少封装体与铜夹之间产生分层的可能性，提高产品的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种增强散热的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122667816.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
CN216354169U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
曹周周刚
申请人 ：
杰群电子科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市黄江镇裕元工业区内精成科技园A、B栋
代理机构 ：
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄宏龙
优先权 ：
CN202122667816.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/31 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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