一种单晶硅生长速度提升装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅生长速度提升装置，包括水冷装置主体（1）和进水管（2），水冷装置主体（1）的内壁上设有外置循环水路（3），外置循环水路（3）包括两组循环水管（31），每组循环水管（31）的两端均设有循环水路进水口（32），循环水路进水口（32）与进水管（2）相连；循环水管（31）为S型竖向排列，其包括相连的竖直段（31a）和圆弧段（31b），相邻两个竖直段（31a）之间设有一面档板（4），档板（4）和循环水管（31）均连接于水冷装置主体（1）的内壁上。本实用新型的优点是可以增大固液界面处的的温度梯度，提高晶体的生长速率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅生长速度提升装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122496384.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
CN216192869U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
黄利华王艺澄王军磊
申请人 ：
包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周琪
优先权 ：
CN202122496384.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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