一种拉晶生长装置及单晶硅生产设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种拉晶生长装置,包括提拉器、水冷器及换热器;所述换热器为筒状换热器,所述筒状换热器的直径从靠近固液界面的一端向远离固液界面的一端逐渐扩大;所述换热器的内壁包括多个沿所述提拉器的提拉方向排列的吸热凹坑;所述提拉器的提拉方向与所述筒状换热器的轴线方向相同,且穿过所述筒状换热器的孔洞;所述水冷器与所述换热器接触设置,所述换热器通过所述水冷器与外界热交换。本实用新型通过在所述换热器的内壁设置所述吸热凹坑,增加了所述换热器与晶棒间的换热面积,通过凹陷的吸热凹坑使来自所述晶棒的热辐射在凹坑内部反射,提升了吸热效率,从而提高了单晶生长速度。本实用新型了一种具有上述有益效果的单晶硅生产设备。

基本信息
专利标题 :
一种拉晶生长装置及单晶硅生产设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020676577.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-28
授权号 :
CN212316278U
授权日 :
2021-01-08
发明人 :
马腾飞汪奇龙昭钦兰志勇王兴龙
申请人 :
四川晶科能源有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区桥沟镇十字街10号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
王雨
优先权 :
CN202020676577.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-01-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212316278U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332