二极管封装结构
授权
摘要
本申请公开了一种二极管封装结构，二极管封装结构包括：连接底板，包括导电本体、第一连接柱以及第二连接柱，导电本体具有第一表面，第一连接柱以及第二连接柱与第一表面连接；引线框架，连接于导电本体的一端；芯片组件包括第一芯片、第二芯片，第一芯片的阳极端与第一连接柱连接，第一芯片的阴极端与引线框架连接，第二芯片的阳极端与第二连接柱连接，第二芯片的阴极端与引线框架连接；封装结构，在第一表面一侧覆盖第一连接柱、第二连接柱以及芯片组件设置。根据本申请实施例的二极管封装结构，为芯片组件的安装提供更大空间，实现更大尺寸芯片组件的应用，将导电本体的一侧露出提高散热效果。
基本信息
专利标题 ：
二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122400421.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
CN216213418U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
赵良陈松胡爱斌
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202122400421.1
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/538 H01L25/07 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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