ALD喷淋组件及ALD镀膜设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种ALD喷淋组件，包括基板、盖板及第一进气件。盖板密封连接于基板且覆盖开口，待加工件放置于反应腔内，反应气体从第一进气孔进入进气腔后，进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间，经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时，从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔，进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性，从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀，使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀，提高了薄膜的质量。本实用新型还涉及一种ALD镀膜设备。
基本信息
专利标题 ：
ALD喷淋组件及ALD镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120612864.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
CN216274361U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黎微明李翔周芸福王新征许所昌
申请人 ：
江苏微导纳米科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区漓江路11号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
张丹
优先权 ：
CN202120612864.4
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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