具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区、基体区和源区依次设置在衬底区顶部，漏极位于衬底区底部；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区为横截面呈三角形的三角型源区，三角型源区的顶角与绝缘层相接；N型源区包括第一N型源区和第二N型源区；第一N型源区和第二N型源区分设在顶角的两边，并分别与绝缘层相接。本申请提供的方案，能够有效地抑制寄生三极管开启，有效地提高雪崩耐量。
基本信息
专利标题 ：
具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335180A
申请号 ：
CN202111642816.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄黄海猛虞国新
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111642816.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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