屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降低寄生三极管发射结的压降，抑制寄生三极管的开启，提高晶体管的耐雪崩能力。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335181A
申请号 ：
CN202111679643.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111679643.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/08 H01L21/336 H01L21/8234 H01L27/088
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
