一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法,其晶圆的电极侧的保护膜分布均匀,有效保护了电极,同时其与晶圆的粘贴后的贴合的密封性好,有效避免了刻蚀气体或其他异物进入,保证了切割效果。其包括S1、滤波器芯片晶圆使用电镀的方法在正面的相应区域内电镀电极的铜柱,并在铜柱表面电镀电极的锡层,经过氮气回流焊接炉对锡层回流焊处理;S2、滤波器芯片晶圆的正面采用覆膜工艺粘贴复合高分子薄膜,在真空对合腔中进行对位覆膜,其中复合高分子薄膜包括包裹滤波器芯片晶圆的正面电极的第一基材层,第一基材层外部设有相匹配的、起支撑作用的第二基材层,第一基材层的内部设有一圈与滤波器芯片晶圆的边缘相匹配的环状粘贴层。
基本信息
专利标题 :
一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496888A
申请号 :
CN202111634433.9
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张健
申请人 :
全讯射频科技(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区锡士路17号
代理机构 :
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
彭学飞
优先权 :
CN202111634433.9
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载