一种IGBT高导热封装结构及制备方法
公开
摘要
一种IGBT高导热封装结构及制备方法。提供了一种提高绝缘衬底的导热率，同时具有低成本优势，可以应用于大功率的IGBT器件或功率模块的一种IGBT高导热封装结构及制备方法。包括自下而上依次叠合的基板、绝缘衬底基板和芯片，其特征在于，所述绝缘衬底基板包括自下而上依次键合的下金属层、绝缘衬底和上金属层；所述绝缘衬底包括第一绝缘衬底基片和若干第二绝缘衬底基片；所述第一绝缘衬底基片上设有若干圆形通孔；若干所述第二绝缘衬底基片呈圆形结构，与所述圆形通孔相适配，嵌于所述圆形通孔内。本发明既可以提高绝缘衬底的散热能力，同时保持低成本优势，可以应用于需要大尺寸绝缘散热基板的大功率IGBT器件或功率模块。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT高导热封装结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300419A
申请号 ：
CN202111516331.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵成王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202111516331.7
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L23/373 H01L29/739 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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