高导热射频功率器件封装结构

授权

摘要

本实用新型揭示了一种高导热射频功率器件封装结构，所述封装结构包括法兰、管壳、及封装于法兰和管壳之间的若干引脚，所述法兰和管壳之间形成有腔体，所述腔体内在法兰上方封装有若干电容及管芯，其特征在于，所述腔体内全部或部分区域通过填充高导热绝缘材料形成有高导热绝缘填充结构。本实用新型中的射频功率器件封装结构通过在腔体内形成高导热绝缘填充结构，通过高导热绝缘填充结构能够与器件封装结构与法兰、电容、引脚及管壳之间的至少一种导热连接，使得管芯产生的温度可以通过更多的路径传导出去，从而提高了器件封装结构的散热效率。

基本信息

专利标题：

高导热射频功率器件封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921644192.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-29

授权号：

CN210575918U

授权日：

2020-05-19

发明人：

顾熊飞

申请人：

苏州华太电子技术有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号B0604室

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王锋

优先权：

CN201921644192.4

主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/367 H01L23/42