晶圆处理设备和用于处理晶圆的方法
公开
摘要
晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
基本信息
专利标题 ：
晶圆处理设备和用于处理晶圆的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592182A
申请号 ：
CN202111458265.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永冈达司三宅裕树西中浩之梶田优气吉本昌广
申请人 ：
株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202111458265.2
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/02 C23C16/455 C23C16/52 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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