晶圆键合方法及晶圆键合设备
实质审查的生效
摘要

本发明提供晶圆键合方法以及晶圆键合设备,在第一固定装置和第二固定装置中均设置通孔,第一晶圆和第二晶圆各自远离键合面一侧均设置对准标记;分别关联第一晶圆厚度方向的两侧的对准标记和第二晶圆两侧的对准标记;上、下读取器通过对应的通孔分别读取第二晶圆和第一晶圆各自远离键合面一侧的对准标记,结合关联的对准标记,处理器可精确计算第一晶圆和第二晶圆各自键合面一侧对准标记的相对位置偏差,据此可实时调整所述第一固定装置以使所述第一晶圆与所述第二晶圆对准,可根据对准情况进行实时校正。能够精确测得第一晶圆和第二晶圆实际偏差(该实际偏差包含移动时的机械运动误差),并补偿偏差,提高了对准精度,从而提升晶圆键合质量。

基本信息
专利标题 :
晶圆键合方法及晶圆键合设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361014A
申请号 :
CN202111481141.6
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
章安娜周玉
申请人 :
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
田婷
优先权 :
CN202111481141.6
主分类号 :
H01L21/18
IPC分类号 :
H01L21/18  H01L21/68  H01L21/66  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20211206
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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