用于在通用衬底上的装置集成的植入式隔离
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摘要
本申请涉及用于在通用衬底上的装置集成的植入式隔离，揭示了包括集成在半导体衬底上的诸如晶体管的装置的结构，以及形成包括集成在半导体衬底上的诸如晶体管的装置的结构的方法。第一晶体管形成在半导体衬底的第一装置区中，以及第二晶体管形成在半导体衬底的第二装置区中。第二晶体管包括在半导体衬底上的层堆栈，且层堆栈包括由III‑V族化合物半导体材料构成的层。多晶层包括位于第一装置区下方的半导体衬底中的区段。
基本信息
专利标题 ：
用于在通用衬底上的装置集成的植入式隔离
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582794A
申请号 ：
CN202111160020.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西瓦·P·阿度苏米利M·莱维黄正铉
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111160020.1
主分类号 ：
H01L21/763
IPC分类号 ：
H01L21/763 H01L21/82 H01L27/06 H01L29/06 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/763
多晶硅半导体区
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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