集成有鳍式FET的平面型衬底器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

集成有鳍式场效应晶体管(FinFET)的平面型衬底器件(100)及其制造方法，包括绝缘体上硅(SOI)晶片(101)，后者包括：衬底(103)；衬底(103)上的隐埋隔离层(105)；以及在该隐埋隔离层(105)上的半导体层(115)。该结构(100)还包括在该隐埋隔离层(105)上的FinFET(130)以及集成在该衬底(103)中的场效应晶体管(FET)(131)，其中，FET(127)栅极与FinFET栅极(125)在同一平面内。该结构(100)还包括配置在该衬底(103)中的后向阱区(104、106、108、110)。在一种实施方式中，该结构(100)还包括配置在衬底(103)中的浅沟槽隔离区(111)。

基本信息

专利标题：

集成有鳍式FET的平面型衬底器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101103463A

申请号：

CN200580035484.2

公开（公告）日：

2008-01-09

申请日：

2005-10-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

布伦特·A.·安德森爱德华·J.·诺瓦克杰德·H.·兰金

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李春晖

优先权：

CN200580035484.2

主分类号：

H01L29/04

IPC分类号：

H01L29/04

法律状态

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-08-26 ：

授权

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2008-01-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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