半导体器件和包括其的电子系统
公开
摘要
提供了一种半导体器件和电子系统，所述器件包括：基板，包括单元阵列区域和连接区域；堆叠件，包括垂直地堆叠在基板上的多个电极；源极导电图案，在单元阵列区域上位于基板与堆叠件之间；虚设绝缘图案，在连接区域上位于基板与堆叠件之间；导电支撑图案，位于堆叠件与源极导电图案之间以及堆叠件与虚设绝缘图案之间；多个第一垂直结构，位于单元阵列区域上并穿透堆叠件、导电支撑图案和源极导电图案；以及多个第二垂直结构，位于连接区域上并穿透堆叠件、导电支撑图案和虚设绝缘图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和包括其的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361168A
申请号 ：
CN202110725883.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金成吉金振赫金廷奂
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202110725883.2
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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