半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
公开
摘要
提供了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括:第一基板;器件,位于第一基板上;第二基板,位于器件上;栅电极,堆叠在第二基板上并在第一方向上彼此间隔开;沟道结构,穿透栅电极、在第一方向上延伸并且包括沟道层;隔离区域,穿透栅电极并在第二方向上延伸;贯通接触插塞,穿透第二基板、在第一方向上延伸并将栅电极电连接至器件;阻挡结构,与贯通接触插塞间隔开并围绕贯通接触插塞;以及支撑结构,位于栅电极上并包括支撑图案,其中,支撑结构具有在隔离区域上在第二方向彼此间隔开的第一贯通区域和与阻挡结构的上表面接触的第二贯通区域。
基本信息
专利标题 :
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373765A
申请号 :
CN202111199535.2
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-10-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金江旻申载勋殷东锡林根元
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市立方律师事务所
代理人 :
李娜
优先权 :
CN202111199535.2
主分类号 :
H01L27/11521
IPC分类号 :
H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11573 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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