一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法
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摘要
本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113343535A
申请号 ：
CN202110700564.6
公开（公告）日 ：
2021-09-03
申请日 ：
2021-06-23
授权号 ：
CN113343535B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
樊嘉杰钱弈晨
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆惠中
优先权 ：
CN202110700564.6
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G06F30/27 G06N3/12 G06F111/04 G06F111/06 G06F119/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-09-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20210623
申请日 : 20210623
2021-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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