半导体标记制作方法及半导体标记
授权
摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体标记制作方法及半导体标记。半导体标记制作方法包括：提供周向边缘经OPC修正后的图形；在图形上裁剪出多个独立的对准段；拼接多个对准段，以形成周向边缘经OPC修正的半导体标记。通过对周向边缘经OPC修正后的图形进行裁剪后拼接，以此获得周向边缘经OPC修正的半导体标记，即可以在多个对准段拼接后即可形成周向边缘经OPC修正的半导体标记，省去了形成半导体标记后再进行OPC修正的时间，以此提高半导体标记的制作效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体标记制作方法及半导体标记
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112864023A
申请号 ：
CN202110016542.8
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2021-01-07
授权号 ：
CN112864023B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
单闯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202110016542.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20210107
申请日 : 20210107
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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