SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法
公开
摘要
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、(b)、(c)步骤中的两个以上的步骤：(a)去除SiC原衬底(10)的应变层(101)的应变层去除步骤(S11)；(b)去除SiC原衬底(10)上的宏观台阶聚束(MSB)的聚束去除步骤(S12)；(c)在SiC原衬底(10)上形成减少了基底面位错(BPD)的生长层(105)的基底面位错减少步骤(S13)。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375351A
申请号 ：
CN202080055201.5
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080055201.5
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B33/02 C30B25/20 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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