在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件

授权

摘要

本发明涉及外延层的制造，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上提供具有第一深度的Si－Ge层；向半导体衬底提供具有n型掺杂剂材料并且具有实质大于所述第一深度的第二深度的掺杂层；执行氧化步骤以形成二氧化硅层，使得在二氧化硅/硅界面处通过二氧化硅层将Ge原子和n型原子推入到半导体衬底中；其中，将n型原子比Ge原子推入更深地到半导体衬底中，导致具有减小的n型原子浓度的顶部层；去除二氧化硅层；在具有减小的向外扩散或自动掺杂的半导体衬底上生长硅外延层。

基本信息

专利标题：

在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073148A

申请号：

CN200580041921.1

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菲利浦·默尼耶－贝拉德亨特里希·G·A·赫伊津

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580041921.1

主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

H01L21/316 H01L21/265

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/314

无机层

H01L21/316

由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层

法律状态

2009-08-26 ：

授权

2008-07-02 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080530
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬

2008-02-06 ：

实质审查的生效

2007-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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