一种紫外LED芯片制造装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外LED芯片制造装置，涉及紫外LED芯片制造设备技术领域，针对现有的紫外LED芯片制造装置工作性能不佳的问题，现提出如下方案，其包括工作台，所述工作台的下方设有连接底座，所述连接底座的两端均设有支撑底座，所述支撑底座远离连接底座一端的顶部均固定有支撑块，所述工作台位于两个支撑块之间，所述工作台的两端均固定有连接块，所述支撑块靠近工作台的一侧沿竖向开设有多个连接槽。本实用新型可辅助使用者对紫外LED芯片进行制造加工，且可快速的对制造装置上的紫外LED芯片残渣进行清理和收集，并且可灵活的对制造装置的相应高度进行调节，工作性能高，使用方便。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外LED芯片制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022116364.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213424935U
授权日 ：
2021-06-11
发明人 ：
吴思
申请人 ：
南京南大光电工程研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1101室
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202022116364.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-06-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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