一种碳化硅功率肖特基二极管
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摘要
本实用新型提供的一种碳化硅功率肖特基二极管，包括依次设置的背面金属、碳化硅n+衬底、n‑外延漂移区和底部金属，所述n‑外延漂移区和所述底部金属相对的一面设有若干个沟槽，每两个相邻的沟槽间设有第一接触孔，每个所述沟槽的底部设有第二接触孔，所述沟槽的底部覆盖有正面金属，所述沟槽的侧壁设有栅氧化层，所述底部金属和所述n‑外延漂移区相对的一面设有与所述沟槽数量相等的凸起，所述凸起与所述沟槽相配合的结构。在正向小信号时低势垒结能提供低的正向压降，大信号时沟槽内高势垒肖特基结导通，可以提供良好的大电流导通特性和抗浪涌能力；反向时，沟槽间低势垒肖特基电流通道被横向MOS势垒夹断，避免了低势垒肖特基结的低压击穿。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021940685.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN212725324U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
杨勇
申请人 ：
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601
代理机构 ：
中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立铭
优先权 ：
CN202021940685.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L29/47
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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