一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层
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摘要
本实用新型公开了一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层以及金属接触层；所述多量子阱包括若干对GaN层和InGaN层交替堆叠的周期性结构及设置在周期性结构上的量子垒层，所述量子垒层包括非故意掺杂GaN层﹑超晶格层以及设置在超晶格层上的P型InGaN层；所述超晶格层包括若干对交替堆叠的非故意掺杂的InxGa1‑xN和非故意掺杂的AlyGa1‑yN。本实用新型中的多量子阱中的量子垒层，能够有效减轻LQB附近的能带弯曲，降低阱垒层极化效应，提高GaN基绿光LED发光效率，可广泛应用于半导体照明技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021779195.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-24
授权号 ：
CN214043696U
授权日 ：
2021-08-24
发明人 ：
徐良刘建哲李昌勋孙海定郭炜李京波
申请人 ：
黄山博蓝特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号
代理机构 ：
芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹宏筠
优先权 ：
CN202021779195.1
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2021-08-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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