一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，用于蓝光LED，其包括依次设置于基底上的第一半导体层，有源区和第二半导体层；所述有源区包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层；所述阱层包括第一N‑GaN层，设于所述第一N‑GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N‑GaN层；所述电流均化层通过在GaN中掺杂高电阻率材料形成。本实用新型通过在有源区设置N‑GaN+电流均化层+N‑GaN的阱层结构，使得LED外延结构在小电流情况下，有效提升电流的拥堵效应，使得小电流能够在阱层之中横向扩展，强化了扩散效应，从而达到了功率小、光效高的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920749003.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN209822674U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920749003.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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