半导体器件
授权
摘要
一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括具有与参考沟道长度相关联的栅极长度的栅极区和具有有效沟道长度的沟道区；以及第二晶体管，包括具有与参考沟道长度相关联的栅极长度的栅极区和具有有效沟道长度的沟道区；其中第一晶体管和第二晶体管的栅极长度相等；其中第一晶体管和第二晶体管的有效沟道长度不同。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021542661.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN212676264U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
J·德拉勒奥F·朱利恩
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021542661.4
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/10 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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