半导体装置
授权
摘要
在不连接外附二极管使半导体装置小型化的同时防止通过电路产生的热集中在半导体基体的中央侧。顺序叠层的第一IGBT(1)以及第二IGBT(2)的第一基极区域(16)，具有接近各半导体基体(31)的侧面(31c)的周边部(26)。各IGBT(1，2)具有邻接N型的第一基极区域形成二极管(21)的P型的周边基极区域(27)和在第一基极区域(16)的周边部(26)的上表面(26a)上形成的二极管电极(24)，将各IGBT(1，2)的二极管电极(24)和集电极电极(23)在电气上进行连接。在半导体装置导通时，在与侧面(31c)分离的半导体基体(31)的中央侧流过电流，但是在半导体装置关断时发生反向电流时，反向电流接近半导体基体(31)的侧面(31c)流动。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101223644A
申请号 ：
CN200680025644.X
公开（公告）日 ：
2008-07-16
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鸟居克行
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本埼玉县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN200680025644.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L27/04 H01L25/04 H01L27/00 H01L27/088 H01L29/78
法律状态
2010-05-19 ：
授权
2008-09-10 ：
实质审查的生效
2008-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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