一种大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，包括坩埚盖和坩埚体，所述坩埚盖与籽晶连接，坩埚体为碳化硅单晶生长腔体。针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于传统碳化硅晶体生长用坩埚不能同时解决大尺寸、公斤级、高质量的问题，提供一种新型圆台装侧壁开孔坩埚。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020782967.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN212895082U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
刘欣宇袁振洲
申请人 ：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
王佳妹
优先权 ：
CN202020782967.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B25/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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