一种表面纳米阵列结构的锗半导体热光伏电池
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种表面纳米阵列结构的锗半导体热光伏电池，其特征是：包括p型衬底；背面电极，其设置在p型衬底的底面；n型层，其设置在p型衬底的表面且纵截面呈“凹”字型；及栅条形表面电极，其设置在n型层的表面；纳米阵列，其设置在n型层的凹面上。本实用新型是利用纳米光子学结构的光学散射共振效应增强光电转换有源区的光吸收，从而提升器件的光电转换效率。本实用新型选择成本较低的窄带隙锗半导体作为光电转换材料，可以采用自组装纳米球掩膜刻蚀方法制备纳米阵列结构，不需要引入复杂的多层光学薄膜便可以获得较高的光电转换效率，具有工艺过程简单、材料成本低、转换效率高等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种表面纳米阵列结构的锗半导体热光伏电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020661116.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN211529960U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
刘娜杨鲁浩钟丽敏刘楠严丽君叶勇黄世良彭新村
申请人 ：
东华理工大学
申请人地址 ：
江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号
代理机构 ：
南昌新天下专利商标代理有限公司
代理人 ：
施秀瑾
优先权 ：
CN202020661116.0
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/18 H01L31/028
法律状态
2022-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20200427
授权公告日 : 20200918
终止日期 : 20210427
申请日 : 20200427
授权公告日 : 20200918
终止日期 : 20210427
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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