用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件
授权
摘要
本实用新型属于电力半导体器件领域，公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件，缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内，当半导体器件承受击穿电压时，通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场，使得电场击穿所述缓冲区变掺杂结构。本实用新型采用局部穿通原理实现过压可控击穿，具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。
基本信息
专利标题 ：
用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020388279.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN212161818U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
曾嵘刘佳鹏赵彪陈政宇余占清周文鹏张翔宇
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202020388279.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/74 H01L29/739
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法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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