制备区熔用电子级多晶硅的系统

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摘要

本实用新型公开了制备区熔用电子级多晶硅的系统。该制备区熔用电子级多晶硅的系统包括：该系统包括：多晶硅还原炉；第一进料管线，所述第一进料管线与所述多晶硅还原炉相连，所述第一进料管线上具有三氯氢硅入口、氢气入口、三氯氢硅流量计和氢气流量计；第二进料管线，所述第二进料管线与所述第一进料管线相连，所述第二进料管线上具有二氯二氢硅入口和二氯二氢硅流量计。该系统可以产出内应力小、晶粒大小适中且分布均匀的区熔用电子级多晶硅产品。

基本信息

专利标题：

制备区熔用电子级多晶硅的系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020217207.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-26

授权号：

CN212174463U

授权日：

2020-12-18

发明人：

吴锋赵培芝孙江桥李钊韩秀娟

申请人：

江苏鑫华半导体材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

肖阳

优先权：

CN202020217207.5

主分类号：

C01B33/035

IPC分类号：

C01B33/035