一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法，由下而上依次包括衬底、缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、n型AlyGa1‑yN层、AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN层，n型AlyGa1‑yN层设有通孔结构，n电极通过通孔结构与n型AlxGa1‑xN层直接接触，p型GaN层上制备有p电极。本发明在传统AlGaN基深紫外LED的基础上，设计了AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN(y＞x)异质结的n型欧姆接触，利用其极化效应，有效提高电子浓度，降低欧姆接触电阻，提高电流注入，从而降低LED器件的接触电阻和正向电压，提高功率转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112563381A
申请号 ：
CN202011594065.5
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112563381B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
黎大兵陈雨轩孙晓娟蒋科陈洋张山丽
申请人 ：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址 ：
吉林省长春市东南湖大路3888号
代理机构 ：
长春众邦菁华知识产权代理有限公司
代理人 ：
张伟
优先权 ：
CN202011594065.5
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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