紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法。所述外延结构包括自下而上依次设置的衬底、PVD AlN层、第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、p型AlGaN阻挡层和p型GaN层，所述第二AlN层和所述第三AlN层的接触面之间形成有微孔结构。本发明所提出的紫外发光二极管外延结构，通过在第二AlN层上生长第三AlN层，形成三维到二维生长模式的转换，模式转换过程中自然形成微孔结构。通过生长模式的转换和微孔结构，可以大幅改善材料的晶体质量和有效释放外延层的张应力，从而制备出高质量的无裂纹AlN层。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420808A
申请号 ：
CN202210049971.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阚钦
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210049971.X
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
