管靶制造装置和管靶制造方法
公开
摘要
本申请涉及一种管靶制造装置和管靶制造方法，本申请的管靶制造装置包括：牵引模块、结晶模块和喷射模块，牵引模块包括芯轴、芯轴升降机构和成型平台；结晶模块包括固定结晶管和结晶管固定支架，固定结晶管套设于芯轴外；喷射模块包括坩埚和坩埚旋转机构，坩埚上设有至少一个喷嘴，坩埚为环状结构，套设于芯轴外；其中，喷嘴的喷射方向朝向成型平台，芯轴的外表面、固定结晶管的内表面以及成型平台形成用于成型的成型空间。本申请能够采用3D打印的方式令原材料从在旋转的坩埚喷射而出，在不旋转的成型平台上冷却凝固，改变了金属铸造模式和铸造设备，改善了制造的管靶质量，使得所制成的管靶成分均匀，晶粒细化，且消除了宏观偏析。
基本信息
专利标题 ：
管靶制造装置和管靶制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622171A
申请号 ：
CN202011463754.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张佼王玉杰东青孙宝德姜海涛
申请人 ：
上海交通大学;昆山晶微新材料研究院有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区华山路1954号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
钟扬飞
优先权 ：
CN202011463754.2
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B22F12/00 B22F10/22 B33Y10/00 B33Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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