半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构；包括：支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽；焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，但由于焊垫下方为具有凹槽的支撑层，焊线底部会部分区域陷入凹槽内，使得焊线与焊垫的接触面为凸凹不平状，增大焊线与焊垫的接着性，降低焊线脱落的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922122419.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210575928U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922122419.5
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/48 H01L21/603
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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