半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构；包括：支撑层，包括焊盘区域；支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，凹槽底部的宽度大于凹槽开口的宽度；焊垫，位于支撑层上，且位于焊盘区域内，焊垫部分嵌入凹槽内。上述半导体结构中焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间可以有空气腔，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，被排挤开来的焊垫会进入空气腔内，可以避免保护层向上掀开或裂开，防止焊垫外溢，从而确保产品的品质；同时，因为焊垫会在焊线键合工艺时进入空气腔内，会增加焊垫与支撑层的接触面积，从而会增强整体结构的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922121787.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210575927U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922121787.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/48 H01L21/603
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
