一种基于MEMS工艺的线性离子阱
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于MEMS工艺的线性离子阱，所述的线性离子阱采用玻璃‑硅‑玻璃三层键合结构，由两个玻璃内表面生长的金属电极与中间的硅电极共同围成离子阱的前端盖电极、主射频分析区与后端盖电极，其中硅电极采用双面湿法腐蚀工艺形成三角形的Y方向电极，金属电极采用蒸发或溅射的方式形成平面的X方向电极。湿法腐蚀工艺便于形成各种深宽比的硅电极结构进而调节主射频分析区的多极场分布，满足不同应用；而且其制备工艺流程简单，成品率高、键合工艺强度大，长期稳定性好，在微型质谱仪分析检测领域有着广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MEMS工艺的线性离子阱
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921990708.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN211125576U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
郭成安郑煦
申请人 ：
深圳至秦仪器有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道中山园路1001号TCL国际E城G4栋A单元901室
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
江耀纯
优先权 ：
CN201921990708.0
主分类号 ：
H01J49/42
IPC分类号 ：
H01J49/42 B81B7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/26
质谱仪或质量分离管
H01J49/34
动态分光仪
H01J49/42
轨迹稳定型分光仪，如单极的、四极的、多极的、线振质谱仪型的
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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