一种浅沟槽隔离结构及半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件，包括：具有一顶部的衬底；位于所述衬底的顶部一侧至少有一个沟槽；沿所述沟槽的内壁依次有第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中，所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的顶部，使所述第二介电层和所述衬底之间形成第一凹槽，且所述衬底对应所述沟槽的顶部的边缘角处呈弧面。由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，衬底对应沟槽的顶部的边缘处呈弧面，使得衬底对应沟槽的顶部的边缘处无陡峭尖角而更加圆滑，进而能够改善浅沟槽隔离结构的尖端放电问题，提高浅沟槽隔离结构的可靠性。

基本信息

专利标题：

一种浅沟槽隔离结构及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921620570.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-26

授权号：

CN210142652U

授权日：

2020-03-13

发明人：

赖惠先童宇诚林昭维朱家仪

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

潘颖

优先权：

CN201921620570.5

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/762 H01L27/10