沟槽式功率MOS半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种沟槽式功率MOS半导体器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面；沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱；位于N型掺杂外延层内且包覆于沟槽下部的外侧壁上具有一P型掺杂扩散区，此P型掺杂扩散区上端面与P型掺杂阱层的下表面接触。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，且提高了器件的反向电压阻断能力。
基本信息
专利标题 ：
沟槽式功率MOS半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021211707.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN213366602U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202021211707.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
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法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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