一种片上波导损耗测量装置
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摘要
本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成电流；以及加热器，其形成于所述环形谐振腔的预定距离处。
基本信息
专利标题 ：
一种片上波导损耗测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921403148.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-27
授权号 ：
CN210375634U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN201921403148.4
主分类号 ：
G01M11/02
IPC分类号 ：
G01M11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01M
机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试
G01M11/02
•光学性质测试
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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