一种片上波导损耗测量装置
授权
摘要
本申请提供一种硅基片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。
基本信息
专利标题 ：
一种片上波导损耗测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921373455.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN210375633U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN201921373455.2
主分类号 ：
G01M11/02
IPC分类号 ：
G01M11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01M
机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试
G01M11/02
•光学性质测试
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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