CMOS自校准光强监测集成电路
授权
摘要
CMOS自校准光强监测集成电路，光强测量电路中，输出端与电流电压线性转换电路的输入端相连；电流电压线性转换电路的输入端接光强测量电路的输出端和自校准/监测控制开关阵列的第一输入端3a；自校准/监测控制开关阵列的第一输入端与电流电压线性转换电路的输出端相连，第二输入端SEL为自校准控制输入端，第一输出端、第二输出端分别与输出电压采样保持电路第一输入端、第二输入端相连；输出电压采样保持电路的第一输入端、第二输入端分别接自校准/监测控制开关阵列的第一输出端、第二输出端；比较放大电路(5)的第一输入端、第二输入端分别接输出电压采样保持电路第一输出端、第二输出端，输出端OUT2是本实用新型的输出端。
基本信息
专利标题 ：
CMOS自校准光强监测集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920543132.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-19
授权号 ：
CN209841186U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
施朝霞吴丽丽李如春
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 ：
杭州天正专利事务所有限公司
代理人 ：
王兵
优先权 ：
CN201920543132.7
主分类号 ：
G01J1/16
IPC分类号 ：
G01J1/16 H04N5/225 G01J1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/10
采用与基准光或基准电参数相比较的方法
G01J1/16
采用电辐射检测器
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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