一种可同时测定光源波长及光强的CMOS集成电路
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摘要
可同时测定光源波长及光强的CMOS集成电路，包括掩埋双PN结光电二极管传感单元(1)、单结光电流提取放大电路(2)、双结光电流提取放大电路(3)、单结光电流差分放大电路(4)、高灵敏电流电压转换电路(5)、第一单结光电流对数电压转换电路(6)、第二单结光电流对数电压转换电路(7)、电压差分电路(8)。本实用新型利用垂直堆叠的不同结深PN结光电二极管的光电流与光波长及光强的依赖关系，通过对不同结深PN结光电二极管电流求比值和求和的两种处理方法，可同时测定光源的波长及光强，实现了对未知光源的多参数单片检测。
基本信息
专利标题 ：
一种可同时测定光源波长及光强的CMOS集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920621060.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209841201U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
施朝霞李如春吴丽丽
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号
代理机构 ：
杭州天正专利事务所有限公司
代理人 ：
王兵
优先权 ：
CN201920621060.3
主分类号 ：
G01J9/00
IPC分类号 ：
G01J9/00 G01J1/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J9/00
测量光学相位差；测定相干性的程度；测量光学波长
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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