一种CCGA器件返修植柱装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种CCGA器件返修植柱装置，涉及电子行业技术领域，具体为底座工装、器件印锡工装、植柱工装、预植柱工装和高铅焊柱压块工装，所述底座工装上设置有第一定位柱，且底座工装的边缘通设有导风槽，所述器件印锡工装内设有印刷钢片，且器件印锡工装的边缘两侧贯穿有第一定位孔，所述植柱工装内设有植柱钢片，且植柱工装的边缘两侧和植柱钢片的四角均贯穿有第二定位孔，所述预植柱工装由挡片和铝制治具组成，且铝制治具的边角均固定有第二定位柱，所述预植柱工装上呈矩形框设置有高铅焊柱放置位置。该CCGA器件返修植柱装置，可以提升CCGA返修植柱器件的可靠性，同时做到一次返修成功。
基本信息
专利标题 ：
一种CCGA器件返修植柱装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920479830.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN209487465U
授权日 ：
2019-10-11
发明人 ：
蒋昭宇张伟
申请人 ：
成都智明达电子股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市青羊区敬业路229号H3栋D单元
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
明志会
优先权 ：
CN201920479830.5
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2019-10-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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