一种高压肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压肖特基二极管，包括主体，所述主体的顶端设置有凹槽，所述凹槽的内部设置有散热块，所述散热块的顶端设置有导热片，所述主体的一侧设置有正极板，所述正极板远离主体的一侧连接有连接块，所述连接块的内部设置有通孔，所述主体的另一侧设置有负极板，所述主体的外侧设置有绝缘套，所述绝缘套内壁的两端设置有卡扣。本实用新型通过设置有绝缘套与散热块，解决肖特基二极管因反向漏电流偏大而发生的漏电情况，避免了二极管因漏出电流造成的主体温度过高，进而损坏的情况发生，同时二极管可将自身的热量通过多组导热片向外导出，降低二极管在工作时产生的温度，从而提高二极管的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种高压肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920455282.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-04
授权号 ：
CN209981201U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
王志强
申请人 ：
深圳市和芯电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道红星社区格布统建楼3栋25层2505-2508号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201920455282.2
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/08 H01L23/492 H01R4/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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