一种氧化镓MIS结构紫外探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种氧化镓MIS结构紫外探测器，包括N型β‑Ga2O3衬底、非故意掺杂β‑Ga2O3光吸收层、肖特基势垒介质阻挡层、欧姆接触电极层、半透明肖特基电极、介质钝化层和接触电极。本实用新型的优点在于采用肖特基势垒阻挡层设计提高肖特基势垒的高度，从而抑制热噪声和位错等产生暗电流的因素，降低器件的暗电流进而提升器件探测微弱信号的能力。同时该器件采用垂直结构设计无需刻蚀，从而避免了刻蚀损伤带来的器件可靠性问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化镓MIS结构紫外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920442189.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN209675319U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
谢峰杨国锋
申请人 ：
南京紫科光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁高新园天元东路1009号
代理机构 ：
合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈少丽
优先权 ：
CN201920442189.8
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/032
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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