一种各向异性半导体光学薄膜轴向折射率的测量方法
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摘要

本发明提供的一种各向异性半导体光学薄膜轴向折射率的测量方法,包括以下步骤:利用激光对各向异性半导体光学薄膜进行照射,收集半导体光学薄膜向外发射的荧光,测量半导体光学薄膜的荧光光谱;从半导体光学薄膜荧光光谱的带边非周期振荡发射光谱中提取干涉加强或减弱的波长数值;根据薄膜厚度、折射率以及波长的相干叠加关系,计算半导体光学薄膜的轴向折射率随波长变化的关系,即单边色散关系,完成各向异性半导体光学薄膜轴向折射率的测量。本发明提供的测量方法,可运用到各向异性宽带隙半导体光学薄膜中,测量精度高,解决了带边折射率无法准确测量的技术问题,具有广阔的应用前景。

基本信息
专利标题 :
一种各向异性半导体光学薄膜轴向折射率的测量方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111044490A
申请号 :
CN201911306489.4
公开(公告)日 :
2020-04-21
申请日 :
2019-12-18
授权号 :
CN111044490B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
郑伟朱燕明林日成黄丰
申请人 :
中山大学
申请人地址 :
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 :
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 :
林丽明
优先权 :
CN201911306489.4
主分类号 :
G01N21/41
IPC分类号 :
G01N21/41  G01N21/45  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率;影响相位的性质,例如光程长度
法律状态
2022-06-03 :
授权
2020-05-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/41
申请日 : 20191218
2020-04-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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