一种法诺共振MHM超表面高灵敏度背景折射率传感器
授权
摘要

本发明公开了一种法诺共振MHM超表面高灵敏度背景折射率传感器,包括多个侧面相互连接的单元结构,单元结构包括介质层和分别设于介质层上下表面且关于介质层对称的两个金属层,介质层包括介质膜和金属膜,介质膜偏离中心的位置设有通孔,金属膜填充于通孔内且与两个金属层相接触。本发明提供的法诺共振MHM超表面高灵敏度背景折射率传感器,将金属膜设于介质膜偏离中心的通孔内,使其电偶极子增强,与超表面结构中的磁偶极子相互作用,产生法诺共振,使得传感器应用于具有法诺共振的超表面结构时,对周围背景折射率进行探测时具有较高的灵敏度,且制备工艺简单。

基本信息
专利标题 :
一种法诺共振MHM超表面高灵敏度背景折射率传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109239013A
申请号 :
CN201811203238.9
公开(公告)日 :
2019-01-18
申请日 :
2018-10-16
授权号 :
CN109239013B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
欧阳征标梁丽容尹嘉峻凡俊兴
申请人 :
深圳大学
申请人地址 :
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 :
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
齐则琳
优先权 :
CN201811203238.9
主分类号 :
G01N21/45
IPC分类号 :
G01N21/45  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率;影响相位的性质,例如光程长度
G01N21/45
利用干涉量度法,利用纹影方法
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-06-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/45
申请日 : 20181016
2019-01-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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