一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器

授权

摘要

本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU^‑1。

基本信息

专利标题：

一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109900659A

申请号：

CN201910211190.4

公开（公告）日：

2019-06-18

申请日：

2019-03-20

授权号：

CN109900659B

授权日：

2022-05-03

发明人：

毕磊王会丽

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

电子科技大学专利中心

代理人：

闫树平

优先权：

CN201910211190.4

主分类号：

G01N21/41

IPC分类号：

G01N21/41 G01N21/552